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参数目录44043
> NTLJS4114NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
型号:
NTLJS4114NT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTLJS4114NT1G PDF
标准包装
1
系列
µCool™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
650pF @ 15V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-WDFN(2x2)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NTLJS4114NT1GOSCT
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